第三代半导体材料特点

与前两代半导体材料喻为,第三代半导体材料具有较宽的禁带宽度。、高击穿电场、高热导、较高的电子饱和度率和较高的抗辐射才能,它更合适的制造低温。、高频、抗辐射超等的巨大力量器件,也称为宽波段隙半导体材料(禁带WID)。,亦称为低温半导体材料。。从第三代半导体材料和器件的追究,SiC和GaN半导体材料对立完备。,锌华、用钻石装饰的、氮化的铝等材料的追究尚属开动阶段。金刚砂(SiC)及氮化的镓(GaN)——并称为第三代半导体材料的双雄。

第三代半导体材料特点及资料介绍

  图2第三代半导体材料特点

对立于Si,金刚砂有数不清的优点。:电场强烈是电场强烈的10倍。,3倍热导率,宽3倍�

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